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摘要 本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上，在室溫狀態下，分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離，來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加，氧氣的低濺…
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使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅鎂薄膜已成功的被製作。本論文將使用反應氣體氧氣參與離子束濺鍍Mg0.1Zn0.9金屬靶材，以（111）矽基板溫度360、400及500℃成長氧化鋅鎂薄膜MgxZn1-…
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本文是以反應性離子束濺鍍法成長氧化鋅薄膜，嘗試在兩種不同反應濺鍍環境:一是“氧氣直接通入腔體”；另一是“氧及氬氣同時通入離子槍”作反應性濺鍍，並探討通入氧流量的多寡對薄膜性質、光學、結構的影響。在未…
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本研究開發氧化矽閘極絕緣膜及多晶矽膜之低溫濺鍍沉積技術，以利塑膠基板上薄膜電晶體之製作。此外，我們利用準分子雷射退火技術實現鍺膜之超級橫向成長，並觀察此長晶現象。本研究在室溫下藉由脈衝直流磁控反應性…
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本實驗利用射頻磁控濺鍍法於低溫下成長具半導體特性之非晶質奈米碳棒，其形貌不同於一般使用濺鍍法成長之薄膜。本實驗從兩方面來對成長奈米碳棒做探討，首先，我們於不同溫度下成長奈米碳棒，並觀察其表面形貌及結…
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本論文成功使用低溫濺鍍磊晶法成長矽薄膜並且應用於太陽電池元件製作，磊晶矽薄膜的部份在製程溫度為220℃與直流電源功率為100 W的條件下可得到最佳的矽膜品質，其有效復合速率(Recombinatio…
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使用毛細式離子源濺鍍氧化鋅靶，沉積氧化鋅薄膜於晶向(100)矽基板上，隨後於氧與氮氣氛下退火，討論不同退火條件對氧化鋅薄膜特性之影響。 XRD顯示未退火之氧化鋅薄膜無任何繞射峰值，ZnO(002)繞…
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本論文以直流磁控式濺鍍法實現矽/鍺膜同/異質磊晶，成功地在矽基板上達成矽膜和鍺膜的同異質磊晶成長，以及在鍺基板上之鍺膜同質磊晶。最後並以濺鍍磊晶成長矽膜於矽基板上之方式形成n+-p接面二極體元件。論…
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本實驗為利用射頻磁控濺鍍法沉積鋅薄膜，藉由調變射頻功率及靶材至基板的距離可控制鋅薄膜的結晶及表面型貌。實驗結果顯示多晶鋅薄膜在經450 ℃熱氧化可成長較多垂直於基板的氧化鋅奈米線，其平均長度約為4 …
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積氧化銀，藉由調變不同離子束能量、沉積溫度及氧氣分壓(Opf)來沉積氧化銀薄膜，之後再將鋁摻入薄膜觀察其變化。XRD分析在陽極電壓700 V下沉積，在Opf = 100…